説明

半導体デバイス内の電荷輸送現象を記述する基礎モデルで、電場によるドリフト（移動）と濃度勾配による拡散を組み合わせて電子や正孔の振る舞いを表す。キャリアの連続の式（質量保存）とドリフト・拡散項を含む輸送方程式から構成され、その形式は流体の移流拡散方程式と類似している。流体解析とは異なる分野のモデルだが、数値解法や偏微分方程式の構造に共通点が多く、CFDの知識が半導体デバイスシミュレーション（TCAD）の分野にも応用される例となっている。