CVD プロセスの解析事例
CVD（Chemical Vapor Deposition）プロセスの解析事例として、SiF4（四フッ化ケイ素）と NH3（アンモニア）のガスを吹き付けて、基板表面上に Si と N が沈着する過程を解析しました。
解析条件の概要
| 項目 | 設定 |
|---|---|
| 初期設定 | 四フッ化ケイ素50% |
| 雰囲気温度 | 300℃ |
| 基板表面温度 | 1440度 |
| 化学反応モデル | 反応モデル（ガス反応: 33 反応式, 17 化学種, 表面反応: 6 反応式, 6 化学種） |
| 反応速度 | CHEMKIN® |
解析結果
解析モデル
蒸着面における Si 膜厚分布
Si 膜厚分布
蒸着速度分布
乾燥過程の解析事例
塗料に窒素ガスを吹き付けて乾燥させる過程を解析しました。
解析条件の概要
解析モデル
解析結果
適用例
- 半導体製造、金属膜形成およびそれらの装置開発（CVD, ALD プロセス解析）
- 塗布・乾燥過程（均一塗装, 膜厚コントロールなど）
- 壁面液滴生成過程（センサー等の機器表面上の結露防止, 形状最適化など）
カテゴリ
化学反応・燃焼
材料・化学